| 发明名称 | 可降低园片坏率的晶块切割方法 | ||
| 摘要 | 一种可降低园片坏率的晶块切割方法，其包含：在一晶块的至少一表面形成一纳米结构层；在该纳米结构层上沉积或涂布一缓冲层；在该缓冲层和一固定板之间施加一层树脂以使该晶块固定在该固定板上；对该晶块执行一切割程序以获得复数片园片；以及对所述复数片园片执行一树脂去除程序。 | ||
| 申请公布号 | CN105845560A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201510017230.3 | 申请日期 | 2015.01.14 |
| 申请人 | 叶哲良 | 发明人 | 叶哲良 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种可降低园片坏率的晶块切割方法，其包含：在一晶块的至少一表面形成一纳米结构层；在该纳米结构层上沉积一缓冲层；在该缓冲层和一固定板之间施加一层树脂以使该晶块固定在该固定板上；对该晶块执行一切割程序以获得复数片园片；以及对所述复数片园片执行一树脂去除程序。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市光复路二段101号 | ||