| 摘要 |
본 발명의 일 실시 형태에 관한 리니어 이미지 센서(1)는 긴 형상의 매립형 포토 다이오드(PD(n))가 복수 배열되어 있다. 이 매립형 포토 다이오드(PD(n)) 각각은 제1 도전형의 제1 반도체 영역(10)과, 제1 반도체 영역(10) 상에 형성되고, 제2 도전형의 불순물 농도가 낮고, 긴 형상인 제2 반도체 영역(20)과, 제2 반도체 영역(20)의 표면을 덮도록, 제2 반도체 영역(20) 상에 형성된 제1 도전형의 제3 반도체 영역(30)과, 제2 반도체 영역(20)으로부터 전하를 취출하기 위한 제2 도전형의 제4 반도체 영역(40)을 구비하고, 제4 반도체 영역(40)은 제2 반도체 영역(20) 상에 있어서, 긴 방향으로 복수 이간해서 배치되어 있다. |
