晶体管及晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管及晶体管的形成方法，其中，晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极结构，栅极结构包括在半导体衬底上形成的栅介质层、位于栅介质层上的栅电极，其中，在栅极结构周围的半导体衬底上形成有第一侧墙；在栅极结构两侧的半导体衬底内形成∑形凹槽；在∑形凹槽中形成第一应力衬垫层，第一应力垫衬层的表面与衬底的表面持平；之后在第一侧墙周围形成第二侧墙；在第一应力衬垫层上形成第二应力衬垫层，其中，第二应力衬垫层的厚度小于等于第二侧墙的高度。第二侧墙使第二应力衬垫层到栅极结构的距离增大，减小甚至消除了第二应力衬垫层与栅极结构之间的寄生电容，提升了半导体器件的性能。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括在半导体衬底上形成的栅介质层、位于所述栅介质层上的栅电极，其中，在所述栅极结构周围的半导体衬底上形成有第一侧墙；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成Σ形凹槽；在所述Σ形凹槽中形成第一应力衬垫层，所述第一应力垫衬层的表面与所述衬底的表面持平；在形成第一应力衬垫层后，在所述第一侧墙周围形成第二侧墙；在形成所述第二侧墙后，在第一应力衬垫层上形成第二应力衬垫层，其中，第二应力衬垫层的厚度小于等于所述第二侧墙的高度。