发明名称 |
场发射阴极装置及其驱动方法 |
摘要 |
一种场发射阴极装置,其包括:一绝缘基底;一阴极电极设置于所述绝缘基底的表面;一第一绝缘隔离层设置于所述阴极电极的表面或绝缘基底的表面,该第一绝缘隔离层定义一第一开口;一电子发射层设置于所述阴极电极通过第一开口暴露的表面,且与该阴极电极电连接;一第一栅极设置于所述第一绝缘隔离层表面;一第二绝缘隔离层设置于所述第一栅极表面,且所述第二绝缘隔离层定义一第二开口,以使阴极电极的至少部分表面通过该第二开口暴露;一第二栅网设置于所述第二绝缘隔离层表面,且所述第二栅网从第二绝缘隔离层的表面延伸至电子发射层上方,以将第二开口覆盖。本发明还涉及所述场发射阴极装置的驱动方法。 |
申请公布号 |
CN103903938B |
申请公布日期 |
2016.08.10 |
申请号 |
CN201210587689.3 |
申请日期 |
2012.12.29 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
柳鹏;范守善 |
分类号 |
H01J29/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01J29/04(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种场发射阴极装置,其包括:一绝缘基底,该绝缘基底具有一表面;一阴极电极,该阴极电极设置于所述绝缘基底的表面;一第一绝缘隔离层,该第一绝缘隔离层设置于所述阴极电极的表面或绝缘基底的表面,该第一绝缘隔离层定义一第一开口,以使阴极电极的至少部分表面通过该第一开口暴露;一电子发射层,该电子发射层设置于所述阴极电极通过第一开口暴露的表面,且与该阴极电极电连接;一第一栅极,该第一栅极设置于所述第一绝缘隔离层表面;其特征在于,所述场发射阴极装置进一步包括一第二绝缘隔离层和一第二栅网,该第二绝缘隔离层设置于所述第一栅极表面,且所述第二绝缘隔离层定义一第二开口,以使阴极电极的至少部分表面通过该第二开口暴露;该第二栅网设置于所述第二绝缘隔离层表面,且所述第二栅网从第二绝缘隔离层的表面延伸至电子发射层上方,将第二开口覆盖,所述第一栅极为一栅网,且该栅网从第一绝缘隔离层的表面延伸至电子发射层上方,将所述第一开口覆盖。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |