| 发明名称 | 晶圆边缘的刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 一种晶圆边缘的刻蚀方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括器件区和位于器件区边缘的外围区，所述外围区包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于器件区和第二区域之间，且第二区域的上表面高于第一区域的上表面；对第一区域和第二区域的上表面进行氧化处理，形成氧化层，所述第二区域上的氧化层厚度大于第一区域上的氧化层厚度；去除第一区域上的氧化层以及第二区域上部分厚度的氧化层；刻蚀第二区域上剩余的氧化层以及外围区，使第一区域的上表面与第二区域的上表面齐平。本发明晶圆边缘的刻蚀方法提高了晶圆边缘的平整度。 | ||
| 申请公布号 | CN103928290B | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201310011495.3 | 申请日期 | 2013.01.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;王新鹏 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶圆边缘的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括器件区和位于器件区边缘的外围区，所述外围区包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于器件区和第二区域之间，且第二区域的上表面高于第一区域的上表面；对第一区域和第二区域的上表面进行氧化处理，形成氧化层，所述第二区域上的氧化层厚度大于第一区域上的氧化层厚度；去除第一区域上的氧化层以及第二区域上部分厚度的氧化层；刻蚀第二区域上剩余的氧化层以及外围区，使第一区域的上表面与第二区域的上表面齐平。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||