薄膜金属和合金的低速率电化学蚀刻

摘要

本发明公开薄膜金属和合金的低速率电化学蚀刻。本发明的实施例包括使用净阴极电流或电位进行低速率（湿式）蚀刻的系统和方法。特别地，一些实施例通过在衬底被浸入水系电解质时向衬底施加小的净阴极电流实现小于0.1nm/s的受控蚀刻速率。依赖于实施例，采用的水系电解质可以包括与从衬底蚀刻掉的材料相同类型的阳离子。一些实施例在薄膜金属和合金的蚀刻以及磁头换能器晶片的制造中是有用的。

主权项

一种用于电化学蚀刻的方法，所述方法包括：提供包括第一材料的金属或者合金的衬底；提供包括第二材料的电解质的蚀刻溶液；以及将所述衬底浸入所述蚀刻溶液，同时向所述衬底施加阴极电流，其中所述阴极电流被施加从而所述蚀刻溶液导致所述衬底的所述第一材料被蚀刻并且所述蚀刻溶液导致还原反应发生，并且其中向所述衬底施加所述阴极电流包括增加通过所述衬底的电流密度，从通过所述衬底的零净电流增加到通过所述衬底的第一净电流，其中所述第一净电流比所述零净电流更阴性。