CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法

摘要

一种CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法，其中所述CMOS图像传感器的像素结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的传输晶体管，所述传输晶体管包括位于半导体衬底上的栅极结构；位于栅极结构的一侧的半导体衬底内的光电二极管，所述光电二极管包括深掺杂区，深掺杂区中掺杂的杂质离子的浓度分布，随着深掺杂区与栅极结构的距离的增大而减小。位于栅极结构的另一侧的半导体衬底内的浮置扩散区。本发明的CMOS图像传感器的像素结构光电子易于向浮置扩散区传输，成像质量高。

主权项

一种CMOS图像传感器的像素结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底形成传输晶体管，所述传输晶体管包括位于半导体衬底上的栅极结构；在所述栅极结构的一侧的半导体衬底内形成光电二极管，所述光电二极管包括深掺杂区，所述深掺杂区包括位于栅极结构一侧的半导体衬底内的第一深掺杂区，位于第一深掺杂区的远离栅极结构一侧的半导体衬底内的第二深掺杂区，所述第二深掺杂区中掺杂的杂质离子的浓度小于第一深掺杂区中掺杂的杂质离子的浓度，第二深掺杂区中掺杂的杂质离子的类型与第一深掺杂区中掺杂的杂质离子的类型相同，所述深掺杂区的形成过程为：在所述半导体衬底上形成第一掩膜层，第一掩膜层具有暴露栅极结构一侧的部分半导体衬底表面的第一开口；沿第一开口对暴露的半导体衬底进行第一离子注入，在半导体衬底中形成第一深掺杂区；去除第一掩膜层，在半导体衬底上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层中具有暴露第一深掺杂区的远离栅极结构一侧的半导体衬底的第二开口；沿第二开口对第一深掺杂区一侧的半导体衬底进行第二离子注入，在第一深掺杂区的远离栅极结构一侧的半导体衬底内第二深掺杂区，所述第二离子注入的剂量小于第一离子注入的剂量；在栅极结构的另一侧的半导体衬底内形成浮置扩散区。