发明名称 |
有机发光二极管显示器及其制造方法 |
摘要 |
根据实施例的有机发光二极管显示器及其制造方法,包括:基板;在基板上方的氧化物半导体层;在氧化物半导体层上方的平坦化层;在平坦化层上方的发光二极管;在发光二极管上方的钝化层;和在平坦化层和钝化层之间的氢阻挡层,用以阻挡氢自钝化层扩散向氧化物半导体层。 |
申请公布号 |
CN103887440B |
申请公布日期 |
2016.08.10 |
申请号 |
CN201310403355.0 |
申请日期 |
2013.09.06 |
申请人 |
乐金显示有限公司 |
发明人 |
琴都映;李俊昊;申荣训 |
分类号 |
H01L51/52(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/52(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;钟强 |
主权项 |
一种有机发光二极管显示器,包括:基板;在基板上的栅极;在栅极上方的氧化物半导体层;在氧化物半导体层上的源极和漏极;在源极和漏极上方的第一钝化层;在第一钝化层上方的平坦化层;在平坦化层上方的发光二极管;在发光二极管上方的第二钝化层;在平坦化层和第二钝化层之间的氢阻挡层,用以阻挡氢自第二钝化层扩散至氧化物半导体层,和在基板上的栅极线、数据线和电源线,栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区,其中所述发光二极管包括位于第一钝化层上且位于像素区中的第一电极、位于第一电极上的发光层和位于发光层上的第二电极,其中所述氢阻挡层设置在第二电极上,其中所述氢阻挡层为岛状以完全覆盖氧化物半导体层。 |
地址 |
韩国首尔 |