| 主权项 |
一种发光二极管的制备方法，包括：提供一基底预制体，所述基底预制体具有一外延生长面以及一与所述外延生长面相对的出光面；在所述基底预制体的出光面设置一图案化掩膜层，所述图案化掩膜层包括多个并排设置的挡墙，相邻的挡墙之间形成一沟槽，所述基底预制体通过该沟槽暴露出来,所述图案化掩膜层的厚度为100纳米～500纳米；通过蚀刻气体对暴露于沟槽中的基底预制体进行纵向刻蚀，覆盖于挡墙下的基底预制体的两个侧面逐步暴露出来，此时，所述蚀刻气体同时对挡墙下的基底预制体的两个侧面进行横向刻蚀，使每一挡墙对应的基底预制体表面形成一第一三维纳米结构，所述第一三维纳米结构为条形凸起结构，所述条形凸起结构的横截面为弓形,所述蚀刻气体包括氯气和氩气，所述氯气的通入速率为4标况毫升每分～20标况毫升每分，所述氩气的通入速率为10标况毫升每分～60标况毫升每分，所述蚀刻气体形成的气压为2帕～10帕；去除所述图案化掩膜层,使基底预制体形成一图案化的基底；在所述外延生长面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；设置一第一电极与所述第一半导体层电连接；以及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。 |
