| 发明名称 | 氧化物型半导体材料及溅镀靶 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是公开一种由Zn氧化物与Sn氧化物所构成的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的代替材料，该氧化物型半导体材料是与IGZO同等以上的10cm<sup>2</sup>／Vs左右的高载子迁移率，并且不须要高温热处理。本发明为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征是含有Zr以作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。 | ||
| 申请公布号 | CN103608924B | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201280018536.5 | 申请日期 | 2012.04.06 |
| 申请人 | 三井金属矿业株式会社 | 发明人 | 德地成纪;石井林太郎;附田龙马;久保田高史;高桥广己 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;C04B35/453(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 一种氧化物型半导体材料，为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征为：在令Zn的金属元素的原子数为A、令Sn的金属元素的原子数为B时，以A/(A+B)＝0.4至0.8的比率含有Zn与Sn，而且，含有Zr作为掺杂物，在令作为金属元素的Zn的原子数为x、Sn的原子数为y、Zr的原子数为z时，Zr含有量为z/(x+y+z)≦0.005。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||