非挥发性存储器及其制造方法

摘要

本发明公开一种非挥发性存储器及其制造方法，该存储器包括基底、堆叠结构、通道层与第二介电层。堆叠结构包括第一介电层与多个存储单元。第一介电层设置于基底上。存储单元堆叠设置于第一介电层上。各个存储单元包括二层第一导体层与电荷存储结构。电荷存储结构设置于第一导体层之间。垂直相邻的存储单元中的电荷存储结构彼此隔离。通道层设置于堆叠结构的侧壁上，且连接于基底。第二介电层设置于通道层与第一导体层之间。

主权项

一种非挥发性存储器，包括：基底；堆叠结构，包括：第一介电层，设置于该基底上；以及多个存储单元，堆叠设置于该第一介电层上，其中各该存储单元包括：二第一导体层；以及电荷存储结构，设置于该些第一导体层之间，其中垂直相邻的该些存储单元中的该些电荷存储结构彼此隔离；通道层，设置于该堆叠结构的侧壁上，且连接于该基底；以及第二介电层，设置于该通道层与该些第一导体层之间。