| 摘要 |
본 발명의 일 실시예는 반도체 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고하고자 하는 기술적 과제는 양품의 싱귤레이티드 유닛 서브스트레이트만을 이용하여 반도체 디바이스를 제조함으로써 제조 수율을 향상시키는데 있다. 이를 위해 본 발명은 상면 및 하면에 형성된 회로패턴을 포함하는 싱귤레이티드 유닛 서브스트레이트; 상기 싱귤레이티드 유닛 서브스트레이트의 상면에 접속된 반도체 다이; 및, 상기 반도체 다이를 인캡슐레이션하고, 상기 싱귤레이티드 유닛 서브스트레이트의 상면을 덮는 인캡슐란트를 포함하고, 상기 싱귤레이티드 유닛 서브스트레이트의 상면 및 하면 사이의 상기 싱귤레이티드 유닛 서브스트레이트의 측면이 상기 인캡슐란트의 측면과 동일한 평면이 되도록 절단된 반도체 디바이스 및 그 제조 방법을 개시한다. |
