一种控制晶圆温度的等离子体刻蚀腔室及其方法

摘要

本发明提供一种控制晶圆温度的等离子体刻蚀腔体及其方法，等离子体刻蚀腔体包括：连接接地线的上电极和连接射频源的下电极，以及位于上、下电极之间的静电吸盘，在上电极下方设有石英窗，在石英窗与上电极之间设有加热装置，在静电吸盘内部设有冷却剂循环装置，在加热装置与上电极之间设有反射装置，或在加热装置与上电极相对的内表面或侧面的内表面涂有反射涂层，利用反射涂层或反射装置可以将加热装置的光线集聚到晶圆上并且在晶圆表面均匀分布，提高了加热装置的热量的利用率，再利用静电吸盘下方的冷却剂循环装置进一步精确控制晶圆表面的温度，实现了对晶圆温度的良好控制，并且该等离子体刻蚀腔室的结构简单，易于维护。

主权项

一种等离子体刻蚀腔室，含有连接接地线的上电极和连接射频源的下电极，位于上、下电极之间的静电吸盘，以及位于静电吸盘上的晶圆，其特征在于，在所述上电极下方设有石英窗；在所述石英窗与所述上电极之间设有加热装置；在所述静电吸盘内部设有冷却剂循环装置，所述冷却剂循环装置从静电吸盘的一端进入，从另一端导出，用以控制晶圆的温度；其中，在所述加热装置与所述上电极之间设有反射装置，所述反射装置的横截面为弧形，所述反射装置将所述加热装置散发的热量集聚到静电吸盘上的晶圆上；或在所述加热装置与上电极相对的内表面或侧面的内表面涂有反射涂层，所述反射涂层将所述加热装置散发的热量集聚到静电吸盘上的晶圆上；所述冷却剂循环装置与所述加热装置、所述反射装置或所述反射涂层配合使用，以控制晶圆的温度。