| 发明名称 | 一种富Zn晶胚诱导二次生长制备ZnO分级纳米结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种富Zn晶胚诱导二次生长制备ZnO分级纳米结构的方法，以高纯度的Zn、ZnO和活性炭的混合粉末作为原料，通入高纯载气和高纯氧气的混合气体，加热原料，使高温原料在低温衬底上进行气相沉积反应得到。本发明是基于自催化生长原理的富Zn晶胚诱导二次生长制备ZnO分级纳米结构的设计方法，在ZnO纳米带上实现了纳米链的组装，对高结晶无污染分级纳米结构的制备具有重要的意义。 | ||
| 申请公布号 | CN105836791A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201610220691.5 | 申请日期 | 2016.04.11 |
| 申请人 | 中国石油大学（华东） | 发明人 | 燕友果;张军;周丽霞;刘冰;孙晓丽;牛氓 |
| 分类号 | C01G9/03(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | C01G9/03(2006.01)I |
| 代理机构 | 青岛联智专利商标事务所有限公司 37101 | 代理人 | 尚欣 |
| 主权项 | 一种富Zn晶胚诱导二次生长制备ZnO分级纳米结构的方法，其特征在于，以高纯度的Zn、ZnO和活性炭的混合粉末作为原料，通入高纯载气和高纯氧气的混合气体，加热原料，使原料高温挥发在低温衬底上进行气相沉积反应得到。 | ||
| 地址 | 266580 山东省青岛市黄岛区长江西路66号 | ||