| 摘要 |
Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання з випрямляючим контактом створює в напівізолюючих напівпровідниках CdTe, CdZnTe, CdMnTe збіднену область, яка при відсутності зворотної напруги рівна "W(0)", товщину якої можна розрахувати по відомих методиках. Напівпровідниковий кристал виготовляють товщиною "d", яка рівна або менша. |
