| 摘要 |
육성중의 단결정을 위요하는 수냉체를 배치함과 함께, 이 수냉체의 외주면 및 하단면을 포위하는 열차폐체를 배치한 단결정 육성 장치를 이용하여 반경이 Rmax(mm)인 단결정의 육성시에, 단결정의 고액 계면 근방에서, 단결정의 중심으로부터 반경 R(mm)의 위치에 있어서의 실제의 인상축 방향의 온도 구배를 G(R), 최적 온도 구배를 G(R)로 했을 경우, 0<R<R－35(mm)의 범위에서, 하기 (A) 식을 만족하는 조건으로 단결정의 인상을 행하는, 실리콘 단결정의 육성 방법. |G(R)－G(R)|/G(R)<0.08 …(A) (A) 식 중, G(R)＝[(0.1789＋0.0012×σ(0))/(0.1789＋0.0012×σ(x))]×G(0)이고, 이 식 중,x＝R/R이고,σ(x)는 단결정의 중심으로부터 반경R의 위치에 있어서의 평균 응력이다. 이 육성 방법에 의해, 대경 무결함 결정을 정밀도 좋게 육성할 수 있다. |
