一种氮化钽金属薄层电阻结构及其制备方法

摘要

在制备大阻值的金属薄层电阻时，为了提高集成度，金属薄层做的很薄，阻值不易控制（通常情况下+/‑10%），本发明的氮化钽金属薄层电阻结构可以在制备大阻值（25‑500欧姆）电阻时，精确控制其阻值至+/‑3%的范围。

主权项

一种氮化钽金属薄层电阻结构，其结构包括：在硅衬底（101）上生长一层二氧化硅绝缘层（102），在二氧化硅绝缘层上溅射一层100‑300纳米厚的氮化钽（201），在氮化钽上面溅射一层1‑3微米厚的铝（202），将电阻区的铝刻蚀至漏出氮化钽表面，在电阻区通过氧化工艺（温度340‑400摄氏度，时间5‑60分钟）来形成150‑200纳米厚的氧化钽（501），使电阻区的氮化钽的厚度降低至100‑150纳米。