| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置的制造方法包括以下步骤：提供一透光衬底；形成一栅极于透光衬底上；形成一栅极绝缘层覆盖于栅极上；形成一氧化半导体层于栅极绝缘层上，并至少部分位于栅极上方；形成一蚀刻终止层于栅极上方，并至少覆盖部分氧化半导体层；形成一电极层于部分氧化半导体层上；以及将氧化半导体层未被蚀刻终止层及电极层覆盖的部分进行低电阻化处理而形成一像素电极。 | ||
| 申请公布号 | CN105845841A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201510019433.6 | 申请日期 | 2015.01.14 |
| 申请人 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司;瀚宇彩晶股份有限公司 | 发明人 | 吴健豪;李懿庭;胡宪堂 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：提供一透光衬底；形成一栅极于所述透光衬底上；形成一栅极绝缘层覆盖于所述栅极上；形成一氧化半导体层于所述栅极绝缘层上，并至少部分位于所述栅极上方；形成一蚀刻终止层于所述栅极上方，并至少覆盖部分所述氧化半导体层；形成一电极层于部分所述氧化半导体层上；以及将所述氧化半导体层未被所述蚀刻终止层及所述电极层覆盖的部分进行低电阻化处理而形成一像素电极。 | ||
| 地址 | 210038 江苏省南京市经济技术开发区恒飞路18号 | ||