| 发明名称 | 半导体结构及其制法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其制法，先提供具有多个电性连接垫的晶片，于该电性连接垫上形成金属层，并于部份该金属层上形成钝化层。接着于该金属层上形成导电柱。由于该金属层上有钝化层保护，该金属层可避免底切问题，而能提升导电柱的支撑度，进而提升产品信赖性。 | ||
| 申请公布号 | CN105845587A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201510019414.3 | 申请日期 | 2015.01.15 |
| 申请人 | 矽品精密工业股份有限公司 | 发明人 | 陈以婕;孙崧桓;张辰安;吴建宏;黄富堂 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制法，其特征为，该制法包括：提供一具有多个电性连接垫及保护层的晶片，其中，该保护层具有多个保护层开口以外露部份该电性连接垫；于该保护层上形成电性连接该电性连接垫的金属层；形成第一钝化层于部份该金属层上，再于该第一钝化层中形成多个第一开口以外露部份该金属层；形成多个导电柱于该第一开口中的该部份外露的金属层上；以及移除部分的该金属层，以保留该导电柱及该第一钝化层下的金属层。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市 | ||