| 发明名称 | 晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 在含有氢的氧化物半导体层上选择性地设置氢阻挡层，并且通过进行氧化处理，选择性地使氢从氧化物半导体层中的给定区域脱离，从而在氧化物半导体层中形成具有不同导电率的区域。之后，可以利用形成在氧化物半导体层中的具有不同导电率的区域来形成沟道形成区、源区及漏区。 | ||
| 申请公布号 | CN103456794B | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201310307747.7 | 申请日期 | 2009.11.27 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 坂田淳一郎 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：氧化物半导体层，包括第一区域和第二区域；以及阻挡层，其在所述第一区域上并且与所述第一区域接触，其中所述第二区域包括沟道形成区，其中，所述第一区域的氢浓度大于所述第二区域的氢浓度，并且其中，所述第一区域具有比所述第二区域高的导电性。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||