发明名称 用于制造贯穿衬底的微通道的方法
摘要 本发明公开一种在集成电路中形成大的微通道的方法,其通过在衬底内蚀刻被包围的沟槽并随后薄化后侧以露出沟槽的底部并且去除被沟槽包围的材料以形成大的微通道。同时形成大的和小的微通道的方法。在微通道周围的衬底的后侧形成结构以配合另一器件的方法。
申请公布号 CN102844850B 申请公布日期 2016.08.10
申请号 CN201180019071.0 申请日期 2011.04.15
申请人 德克萨斯仪器股份有限公司 发明人 S·M·雅各布森;B·N·伯吉斯
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 赵蓉民
主权项 一种形成带有微通道的集成电路的方法,所述方法包括:在所述集成电路的衬底上的光致抗蚀剂中形成微通道图案,其中至少一个所述微通道图案是包围所述衬底的一部分的沟槽图案;将沟槽蚀刻入所述集成电路的衬底;将所述集成电路的所述衬底的后侧薄化以露出所述沟槽的底部;以及去除所述衬底的所述一部分以形成所述微通道。
地址 美国德克萨斯州