发明名称 半导体装置
摘要 本发明的目的在于,提供一种能够将半导体元件和电容器接近配置并且具有高装载性的半导体装置。具备:半导体元件;第一电极,电连接于该半导体元件的上表面;第一内部电极,具有多个第一梳齿部和连结该多个第一梳齿部的第一连结部,该第一内部电极电连接于该半导体元件的下表面;第二电极,与该第一内部电极电连接;第二内部电极,具有不与该多个第一梳齿部接触地进入到该多个第一梳齿部之间的多个第二梳齿部、以及连结该多个第二梳齿部的第二连结部,该第二内部电极电连接于该第一电极的下表面;以及下部电介质,填补在该多个第一梳齿部和该多个第二梳齿部之间。
申请公布号 CN103311191B 申请公布日期 2016.08.10
申请号 CN201310074184.1 申请日期 2013.03.08
申请人 三菱电机株式会社 发明人 宫本升;角田义一
分类号 H01L23/31(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I 主分类号 H01L23/31(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 何立波;张天舒
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具备:半导体元件;第一电极,电连接于所述半导体元件的上表面;第一内部电极,具有多个第一梳齿部和连结所述多个第一梳齿部的第一连结部,通过所述多个第一梳齿部的1个梳齿与所述半导体元件的下表面进行面接触,由此,所述第一内部电极电连接于所述半导体元件的下表面;第二电极,与所述第一内部电极电连接;第二内部电极,具有不与所述多个第一梳齿部接触地进入到所述多个第一梳齿部之间的多个第二梳齿部、以及连结所述多个第二梳齿部的第二连结部,所述第二内部电极电连接于所述第一电极的下表面;以及下部电介质,填补在所述多个第一梳齿部和所述多个第二梳齿部之间,所述第一内部电极将所述半导体元件与所述第二电极电连接。
地址 日本东京都