用于非接触式测量P-N结的薄层电阻及分流电阻的方法及设备

摘要

非接触式测量p‑n结的特性包含：用光照明p‑n结的表面的照明区域；用第一电极测量来自所述p‑n结的第一区域的第一结光电压JPV信号；用第二电极测量来自第二区域的第二JPV信号；用参考电极测量来自第三区域的第三JPV信号；及用经校正第一JPV信号、经校正第二JPV信号、经校正第一校准JPV信号、经校正第二校准JPV信号或校准p‑n结的已知薄层电阻确定所述p‑n结顶层的薄层电阻。

主权项

一种用于非接触式测量一或多个p‑n结的一或多个特性的方法，其包括：用强度调制光或脉冲光中的至少一者照明半导体衬底的p‑n结的表面的照明区域；用第一电极测量来自所述p‑n结的所述表面的第一区域的第一结光电压信号，所述第一电极靠近所述p‑n结的所述表面，所述第一区域在所述照明区域内或横向靠近所述照明区域；用第二电极测量来自所述表面的第二区域的第二结光电压信号，所述第二电极靠近所述p‑n结的所述表面，所述第二区域横向靠近所述照明区域；用参考电极测量来自所述p‑n结的所述表面的第三区域的第三结光电压信号，所述参考电极靠近所述p‑n结的所述表面，所述第三区域在所述照明区域外部；用所述经测量第一结光电压信号、所述经测量第二结光电压信号或来自所述参考电极的所述经测量第三结光电压信号中的至少一者确定经校正第一结光电压信号或经校正第二结光电压信号中的至少一者；获取来自校准p‑n结的所述第一电极的第一校准结光电压信号、来自所述校准p‑n结的所述第二电极的第二校准结光电压信号或来自所述校准p‑n结的所述参考电极的第三校准结光电压信号中的至少一者，所述校准p‑n结具有已知薄层电阻；用所述经获取第一校准结光电压信号、所述经获取第二校准结光电压信号或来自所述参考电极的所述经获取第三校准结光电压信号中的至少一者确定经校正第一校准结光电压信号或经校正第二校准结光电压信号中的至少一者；及用所述经校正第一结光电压信号、所述经校正第二结光电压信号、所述经校正第一校准结光电压信号、所述经校正第二校准结光电压信号或所述校准p‑n结的所述已知薄层电阻中的至少一者确定所述p‑n结顶层的薄层电阻。