一种半导体器件的制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供第一衬底；在第一衬底的第一表面一侧形成晶体管的源极、漏极和栅极，形成覆盖第一表面的第一介电盖帽层以及位于第一介电盖帽层上的互连结构；提供承载衬底，将所述第一衬底的形成有所述第一介电盖帽层的一侧与所述承载衬底相接合；从所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面对所述第一衬底进行减薄处理至第二深度。该方法由于包括在第一衬底上接合承载衬底并对第一衬底进行减薄处理的步骤，因而可以用普通的体硅衬底而非薄膜绝缘体上硅衬底作为第一衬底，从而可以降低成本。本发明的电子装置，包括采用该方法制造的半导体器件，因而同样具有上述优点。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供第一衬底(100)，从所述第一衬底的第一表面(1001)在所述第一衬底内形成具有第一深度的浅沟槽隔离(103)，其中所述第一深度为所述浅沟槽隔离的底部至所述第一表面的距离；步骤S102：在所述第一衬底的第一表面一侧形成晶体管的源极(1051)、漏极(1052)和栅极(1053)，形成覆盖所述第一表面的第一介电盖帽层(106)以及位于所述第一介电盖帽层上的互连结构(107)；步骤S103：提供承载衬底(200)，将所述第一衬底的形成有所述第一介电盖帽层的一侧与所述承载衬底相接合；步骤S104：从与所述第一表面相对的第二表面对所述第一衬底进行减薄处理至第二深度，其中所述第二深度为减薄处理后所述第二表面至所述第一表面的距离；步骤S105：在所述第一衬底的所述第二表面上形成第二介电盖帽层(108)，形成贯穿所述第二介电盖帽层、所述浅沟槽隔离和所述第一介电盖帽层且与所述互连结构相连的至少一个硅通孔(109)。