| 发明名称 | 一种去除 SiC 衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法，包括步骤如下：(1)将SiC衬底外延石墨烯晶片连接金属铟，作为工作电极；以饱和甘汞电极或银/氯化银电极作为参比电极，铂电极作为对电极，以KOH溶液作为刻蚀液；将工作电极、参比电极和对电极置于刻蚀液中，组装得到三电极体系；(2)用紫外灯光照射三电极体系，控制电解电流密度1.0‑2.0mA/cm<sup>2</sup>，对SiC衬底外延石墨烯缓晶片进行光电化学刻蚀，即可去除缓冲层。本发明方法通过优化工艺参数，缓冲层可完全去除，获得表面均匀的石墨烯材料。 | ||
| 申请公布号 | CN105845552A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201610144265.8 | 申请日期 | 2016.03.14 |
| 申请人 | 山东大学 | 发明人 | 陈秀芳;孙丽;徐现刚;赵显 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人 | 杨磊 |
| 主权项 | 一种去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法，包括步骤如下：(1)将SiC衬底外延石墨烯晶片连接金属铟，作为工作电极；以饱和甘汞电极或银/氯化银电极作为参比电极，铂电极作为对电极，以KOH溶液作为刻蚀液；将工作电极、参比电极和对电极置于刻蚀液中，组装得到三电极体系；(2)用紫外灯光照射三电极体系，控制电解电流密度1.0‑2.0mA/cm<sup>2</sup>，对SiC衬底外延石墨烯缓晶片进行光电化学刻蚀，即可去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层。 | ||
| 地址 | 250199 山东省济南市历城区山大南路27号 | ||