一种基于砷化镓器件的MIM电容器及其制造工艺

摘要

本发明公开了一种基于砷化镓器件的MIM电容器，包括砷化镓半导体基底、底层金属电极、顶层金属电极以及设于底层金属电极与顶层金属电极之间的绝缘层，底层金属电极为Ti/Pd/Au复合金属薄膜，底层金属电极总厚度为0.57~1.13μm；绝缘层为厚度为450~950埃的单层氮化硅薄膜；顶层金属电极为Ti/Pd/Au复合金属薄膜，顶层金属电极总厚度为0.17~0.53μm。本发明的电容密度是传统电容的电容密度的2‑3倍，均匀性<+/‑10%，质量可靠，能满足不同客户的要求。本发明还公开了一种基于砷化镓器件的MIM电容器制造工艺，工艺步骤简单，可操作性强，制造成本低，精度高，适合批量生产。

主权项

一种基于砷化镓器件的MIM电容器，所述MIM电容器包括砷化镓半导体基底（1）、设于砷化镓半导体基底表面的底层金属电极（2）、与底层金属电极平行的顶层金属电极（4）以及设于底层金属电极与顶层金属电极之间的绝缘层（3），其特征在于，所述底层金属电极为Ti/Pd/Au复合金属薄膜，底层金属电极总厚度为0.57~1.13μm；所述绝缘层为单层氮化硅薄膜，绝缘层厚度为450~950埃；所述顶层金属电极为Ti/Pd/Au复合金属薄膜，顶层金属电极总厚度为0.17~0.53μm。