TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法

摘要

一种TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，包括：在第一薄膜上形成第二薄膜，在同等蚀刻条件下，第二薄膜的蚀刻速率大于第一薄膜的蚀刻速率；在第一薄膜和第二薄膜中通过蚀刻工艺形成第一接触孔，第一接触孔贯穿第二薄膜和第一薄膜；在开设第一接触孔后，去除第一薄膜上的第二薄膜；在第一薄膜上形成导电膜，导电膜填入第一接触孔中；在第一薄膜上形成第三薄膜，第三薄膜覆盖导电膜，在同等蚀刻条件下，第三薄膜的蚀刻速率大于第一薄膜的蚀刻速率；在第三薄膜上形成第四薄膜，在同等蚀刻条件下，第四薄膜的蚀刻速率大于第三薄膜的蚀刻速率；在第四薄膜、第三薄膜和第一薄膜中通过蚀刻工艺形成第二接触孔，第二接触孔贯穿第四薄膜、第三薄膜和第一薄膜。

主权项

一种TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在第一薄膜(21)上形成第二薄膜(22)，在同等蚀刻条件下，该第二薄膜(22)的蚀刻速率大于该第一薄膜(21)的蚀刻速率；在该第一薄膜(21)和该第二薄膜(22)中通过蚀刻工艺形成第一接触孔(TH1)，该第一接触孔(TH1)贯穿该第二薄膜(22)和该第一薄膜(21)；在开设该第一接触孔(TH1)后，去除该第一薄膜(21)上的该第二薄膜(22)；在该第一薄膜(21)上形成导电膜(30)，该导电膜(30)填入该第一接触孔(TH1)中；在该第一薄膜(21)上形成第三薄膜(23)，该第三薄膜(23)覆盖该导电膜(30)，在同等蚀刻条件下，该第三薄膜(23)的蚀刻速率大于该第一薄膜(21)的蚀刻速率；在该第三薄膜(23)上形成第四薄膜(24)，在同等蚀刻条件下，该第四薄膜(24)的蚀刻速率大于该第三薄膜(23)的蚀刻速率；在该第四薄膜(24)、该第三薄膜(23)和该第一薄膜(21)中通过蚀刻工艺形成第二接触孔(TH2)，该第二接触孔(TH2)贯穿该第四薄膜(24)、该第三薄膜(23)和该第一薄膜(21)。