| 发明名称 | 具有对准标记的半导体结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种具有对准标记的半导体结构，包括：半导体衬底；电介质层，位于所述半导体衬底表面；金属层，位于所述电介质层表面；第一对准标记，位于所述金属层内；第二对准标记，位于所述金属层表面。通过将用于连接通孔对准的第二对准标记设置于金属层表面，避免了所述第二对准标记带电情况的发生，进而提高了CD‑SEM量测的可靠性；通过将所述第二对准标记以所述第一对准标记的中心为对称中心，对称地分布于所述第一对准标记的四周，保证了量测标准的一致性。 | ||
| 申请公布号 | CN205452279U | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201620224289.X | 申请日期 | 2016.03.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓国贵;贺开庭 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种具有对准标记的半导体结构，其特征在于，所述具有对准标记的半导体结构至少包括：半导体衬底；电介质层，位于所述半导体衬底表面；金属层，位于所述电介质层表面；第一对准标记，位于所述金属层内；第二对准标记，位于所述金属层表面。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区大兴区经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||