| 发明名称 | 半导体晶片的洗净方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体晶片的洗净方法，其是将半导体晶片洗净的方法，其特征在于，其包括下述工序：根据SC1洗净液来将前述半导体晶片洗净的工序；根据氢氟酸来将前述经SC1洗净液所洗净的半导体晶片洗净的工序；以及根据臭氧浓度是3ppm以上的臭氧水来将前述经氢氟酸所洗净的半导体晶片洗净的工序，并且，使由于前述SC1洗净液所造成的半导体晶片的蚀刻耗损成为0.1～2.0nm。由此，提供一种半导体晶片的洗净方法，其能够降低由于洗净所造成的晶片的表面粗糙度恶化，并且有效地进行晶片洗净。 | ||
| 申请公布号 | CN103270580B | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201180060442.X | 申请日期 | 2011.11.01 |
| 申请人 | 信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 椛泽均;阿部达夫 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张永康;向勇 |
| 主权项 | 一种硅晶片的洗净方法，其是将镜面研磨后的硅晶片洗净的方法，其特征在于，其包括下述工序：根据SC1洗净液来将前述硅晶片洗净的工序；根据氢氟酸来将前述经SC1洗净液所洗净的硅晶片洗净，而将SC1洗净工序中所形成的氧化膜去除的工序；以及根据臭氧浓度是3ppm以上的臭氧水来将前述经氢氟酸所洗净的硅晶片洗净的工序，并且，使由于前述SC1洗净液所造成的硅晶片的蚀刻耗损成为0.1～2.0nm。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||