| 发明名称 | 一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘 | ||
| 摘要 | 一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘。本发明的技术方案要点是，本发明的技术方案要点是，一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘，它包括固结磨料层、联接层、金属基体层，固结磨料层按照重量百分比含量包括：磨料45～75%；氧化剂5～20%；助研剂5～20%；润滑剂1～5%；结合剂5～35%；填料1～10%。本发明能够有效降低SiC单晶基片的加工成本，并且提高了SiC单晶基片的加工质量。 | ||
| 申请公布号 | CN103381573B | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201310200761.7 | 申请日期 | 2013.05.27 |
| 申请人 | 河南科技学院 | 发明人 | 苏建修;庞子瑞;马利杰;付素芳;姚建国;郑秋白;刘志响;张竹青 |
| 分类号 | B24B37/14(2012.01)I | 主分类号 | B24B37/14(2012.01)I |
| 代理机构 | 新乡市平原专利有限责任公司 41107 | 代理人 | 吕振安 |
| 主权项 | 一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘，它包括固结磨料层、联接层、金属基体层，其特征在于：固结磨料层按照重量百分比含量包括：磨料45～75%；氧化剂5～20%；助研剂5～20%；润滑剂1～5%；结合剂5～35%；填料1～10%；所述的结合剂为热固型酚醛树脂、热固型聚氨酯树脂、热固型聚酰亚胺树脂中的一种；所述的填料为冰晶石、核桃壳粉中的一种或其混合物。 | ||
| 地址 | 453003 河南省新乡市华兰大道东段河南科技学院机电学院 | ||