半导体发光器件

摘要

本发明公开了一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；和设置在所述多个化合物半导体层上并对应于所述垫的减震构件。

主权项

一种半导体发光器件，包括：发光结构，其包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下方的第二导电半导体层、以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；设置在所述第一导电半导体层下方的垫；形成在所述第二导电半导体层的上表面的周边部分处的透明绝缘层；设置在所述第二导电半导体层和所述透明绝缘层上的电极层；设置在所述电极层上并对应于所述垫的减震构件；和形成在所述电极层和所述减震构件上的导电支撑构件，其中所述减震构件形成在所述电极层和所述导电支撑构件之间，其中所述透明绝缘层形成在所述电极层和所述第二导电半导体层之间，其中所述透明绝缘层的内部部分形成在所述发光结构上，所述透明绝缘层的外部部分从所述发光结构的侧壁向外延伸，其中所述导电支撑构件接触所述电极层和所述减震构件，其中所述第一导电半导体层是N‑型半导体层，所述第二导电半导体层是P‑型半导体层。