通孔及导电插塞的制作方法

摘要

本发明提供一种通孔及导电插塞的制作方法，在干法刻蚀第二介质层形成通孔之后、真空烘烤之前，增加了一步氧气和无氟辅助气体混合的第二次灰化工艺处理，该步骤可以进一步去除氧离子灰化工艺处理后剩余的光刻胶等聚合物，同时还能避免氟离子与通孔底部暴露出的第一金属层发生反应，并减少通孔底部水气的积聚，防止腐蚀第一金属层，进而保证通孔底部的形状，提高后续在通孔中填充物的填充效果。

主权项

一种通孔的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有第一介质层，所述第一介质层内部具有第一金属层，且所述第一介质层的上表面与第一金属层的上表面齐平；在所述第一介质层和第一金属层上形成第二介质层，并在所述第二介质层上形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，干法刻蚀所述第二介质层以在所述第二介质层内形成通孔，所述通孔的底部露出所述第一金属层的上表面；采用氧离子灰化工艺处理所述图形化的光刻胶层并进行湿法清洗，以去除所述图形化的光刻胶层；采用氧气与无氟辅助气体组成的混合气体对湿法清洗后的器件进行第二次灰化工艺处理；对所述第二次灰化工艺处理后的器件进行真空烘烤。