一种平面分离双栅薄膜晶体管

摘要

本实用新型属于半导体技术领域，公开了一种平面分离双栅薄膜晶体管。所述平面分离双栅薄膜晶体管，自下而上依次包括衬底、过渡层、栅电极层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源电极/漏电极，所述源电极和漏电极相对设置于所述半导体有源层上方；所述栅电极层由两个栅电极组成，所述两个栅电极相对设置于过渡层的上方；所述栅电极与源电极/漏电极设置的方向不同。本实用新型调整两个栅极的偏压可使TFT器件呈现出不同的输出和转移特性；两个栅极可同时作为控制栅和信号栅使用，使电路得到简化，从而有效地拓展TFT的应用范围，有望解决阈值电压漂移、自动增益控制动态范围窄等问题。

主权项

一种平面分离双栅薄膜晶体管，其特征在于：自下而上依次包括衬底、过渡层、栅电极层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源电极/漏电极，所述源电极和漏电极相对设置于所述半导体有源层上方；所述栅电极层由两个栅电极组成。