具有增强的离子化和RF功率耦合的低电阻率钨PVD

摘要

本文所述实施例提供一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法和设备。该半导体器件包括基板及栅电极叠层，该基板具有源极区与漏极区，并且该栅电极叠层位于基板上并且在源极区和漏极区之间。该栅电极叠层包括位于栅极介电层上的导电膜层、位于该导电膜层上的耐火金属氮化物膜层、位于该耐火金属氮化物膜层上的含硅膜层以及位于该含硅膜层上的钨膜层。在一个实施例中，该方法包括使基板置于处理腔室中，其中该基板包括源极区及漏极区、位于该源极区与漏极区之间的栅极介电层以及位于该栅极介电层上的导电膜层。该方法还包括在该导电膜层上沉积耐火金属氮化物膜层、在该耐火金属氮化物膜层上沉积含硅膜层以及在该含硅膜层上沉积钨膜层。

主权项

一种半导体器件，所述半导体器件包括：基板，所述基板具有源极区与漏极区；以及栅电极叠层，所述栅电极叠层位于所述基板上，并且所述栅电极叠层在所述源极区与所述漏极区之间；所述栅电极叠层包括：导电膜层，所述导电膜层位于栅极介电层上；耐火金属氮化物膜层，所述耐火金属氮化物膜层位于所述导电膜层上；硅膜，所述硅膜位于所述耐火金属氮化物膜层上；以及钨膜层，所述钨膜层位于所述硅膜上。