一种半导体器件中的铜线键接结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种封装有金属片的半导体器件中铜线键接的结构及其制作方法，通过键接金线在芯片表面的第二镀层上形成一个金的凸块，以增加覆盖在第一镀层上方、作为铜线键接缓冲层的厚度，因此，在焊接金属片和芯片时的高温回流焊过程中，能够有效防止下方镍的第一镀层扩散到上方金的第二镀层及凸块上，从而在铜线键接至凸块上时保证铜线连接的可靠性。并且，当便清洗由于助焊剂挥发在芯片表面产生的污染物。因此，本发明能够有效解决铜线键接时的NSOP第一焊点问题，保证半导体器件的产品质量。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包含：一个安装在一个引线框架载片台（41）上的芯片（1），该芯片（1）的正面设有相互隔开的第一顶部电极和第二顶部电极，每个所述的第一和第二顶部电极上至少形成有镍的第一镀层和位于镍的第一镀层上方的金的第二镀层；在所述第二顶部电极的金的第二镀层（32）上焊接有铜的金属片（50），所述金属片（50）的一端焊接在所述第二顶部电极的金的第二镀层（32）上，所述金属片（50）的另一端焊接在一个第一引线框架引脚（42）上，所述第二顶部电极通过该金属片（50）与外部器件电性连接；在所述第一顶部电极的金的第二镀层（31）上形成有金的凸块（90），在所述凸块（90）上键接有铜线（60），所述铜线（60）的一端键接在所述凸块（90）上，另一端连接在一个第二引线框架引脚（43）上，所述第一顶部电极通过该铜线（60）与外部器件电性连接；其中所述金的凸块（90）的厚度，大于所述第一顶部电极和第二顶部电极的金的第二镀层的厚度且小于所述金属片（50）的厚度。