| 发明名称 | PMOS晶体管及形成方法 | ||
| 摘要 | 一种PMOS晶体管及形成方法，所述PMOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成碳化硅层；在所述碳化硅层表面形成应变硅层；在所述应变硅层表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的碳化硅层内形成锗硅源/漏区。由于本发明实施例的PMOS晶体管的沟道区位于所述碳化硅层和应变硅层内，所述碳化硅层的晶格常数较小，所述碳化硅层会使得应变硅层内部产生压缩应力，且所述源/漏区为锗硅源/漏区，所述锗硅源/漏区也可以使得所述沟道区产生压缩应力，从而可以提高PMOS晶体管沟道区中的空穴的迁移率，提高PMOS晶体管的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103377941B | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201210133563.9 | 申请日期 | 2012.04.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成碳化硅层；在所述碳化硅层表面形成应变硅层；在所述应变硅层表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的碳化硅层内形成锗硅源/漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||