发明名称 МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ КРИСТАЛЛЫ, СОДЕРЖАЩИЕ ДАЗАТИНИБ И ОПРЕДЕЛЕННЫЕ СОКРИСТАЛЛОБРАЗОВАТЕЛИ
摘要 1. Многокомпонентная кристаллическая система (сокристалл), содержащая соединение формулы 1и второе соединение, выбранное из метил-4-гидроксибензоата, или никотинамида, или этилгаллата, или метилгаллата, или пропилгаллата, или этилмальтола, или ванилина, или ментола, или (1R,2S,5R)-(-)-ментола.2. Многокомпонентная кристаллическая система по п. 1, отличающаяся тем, что мольное соотношение соединения формулы 1 и второго соединения находится в диапазоне от 7:1 до 1:1.3. Многокомпонентная кристаллическая система по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что второе соединение представляет собой метил-4-гидроксибензоат и имеет рентгеновскую дифракционную картину порошка с по меньшей мере одним характеристичным пиком (выражен в единицах 20±0.2° 2θ (CuKα излучение)) при 6.0, 6.9, 12.0,12.4, 13.2, 24.3°; в особенности при 6.0, 6.9, 12.0, 12.4, 13.2, 13.8, 15.3, 16.8, 21.0, 24.3, 24.8, 26.7°.4. Многокомпонентная кристаллическая система по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что второе соединение представляет собой никотинамид и имеет рентгеновскую дифракционную картину порошка с по меньшей мере одним характеристичным пиком (выражен в единицах 20±0.2° 2θ (CuKα излучение)) при 5.4, 5.9, 6.9, 12.4, 13.2, 24.4°; в особенности при 5.4, 5.9, 6.9, 11.8, 12.4, 13.2, 13.8, 15.1, 16.8, 17.7, 21.2, 24.4, 24.9°.5. Многокомпонентная кристаллическая система по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что второе соединение представляет собой этилгаллат и имеет рентгеновскую дифракционную картину порошка с по меньшей мере одним характеристичным пиком (выражен в единицах 20±0.2° 2θ (CuKα излучение)) при 5.9, 6.9, 12.4, 13.2, 16.7, 21.1, 24.4°; в особенности при 5.9, 6.9, 12.4, 13.2, 13.8, 16.7, 17.2, 21.1, 21.8, 24.4, 24.9, 27.8°.6. Многокомпонентная кристаллическая система по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что второе соединение представляет собой этилмальтол и имеет рентгеновскую дифракционную картину порошка с по меньшей мере одним характеристичным пиком (выражен в единицах 20±0.2° 2θ (CuKα излучение)) при 5.9, 6.9, 11.8, 12.4, 13.2, 16.8°; в особенности
申请公布号 RU2015100280(A) 申请公布日期 2016.08.10
申请号 RU20150100280 申请日期 2013.06.13
申请人 БАСФ СЕ 发明人 ЧИОДО Тициана;ХАФНЕР Андреас;ХИНТЕРМАНН Тобиас;ЗАЛЬВАДОР Беате;ШЕЛАГЕВИЧ Мартин;БЛАТТЕР Фритц;ЗИБЕНХААР Бернд;ФОССЕН Маркус
分类号 C07D417/12 主分类号 C07D417/12
代理机构 代理人
主权项
地址