SiC单晶的制造方法

摘要

本发明涉及SiC单晶的制造方法。提供一种能够使石墨坩埚内的Si-C溶液充分地对流而不使单晶制造装置大型化的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其包括：使第一频率的高频电流流经配置于石墨坩埚周围的感应加热线圈，将原料Si加热至规定温度，使上述原料Si熔化，同时使C从上述石墨坩埚溶解从而形成Si-C溶液，在加热至上述规定温度之后，使频率从第一频率降至第二频率，对上述Si-C溶液进行保温保持。

主权项

SiC单晶的制造方法，其为使晶种与C的Si溶液接触以使SiC单晶生长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法，其包括：使第一频率的高频电流流经配置于石墨坩埚周围的感应加热线圈，将原料Si加热至规定温度，使所述原料Si熔化，同时使C从所述石墨坩埚溶解从而形成Si‑C溶液，在加热至所述规定温度之后，使频率从第一频率降至第二频率，对所述Si‑C溶液进行保温保持。