| 发明名称 | 一种抗PID的氮化硅减反射膜及其制备方法与应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种抗PID的氮化硅减反射膜及其制备方法与应用，所述氮化硅减反射膜包括沉积于硅片上的内、外两层氮化硅减反射膜，其中，内层氮化硅减反射膜的折射率为1.8~2.2，外层氮化硅减反射膜的折射率为2.0~2.5。本发明对多晶硅电池的氮化硅减反射层的结构（包括：膜层厚度、折射率、以及晶化度）进行了设计，并随后优化了电池扩散工艺中的p‑n结深度、掺杂浓度，以及后期金属化过程，使之与优化的氮化硅减反射层相匹配，最终得到具有抗PID性能的多晶硅电池产品。封装成72片组件后进行双85测试，功率损失为2.6%，符合TUV规定的PID测试标准。 | ||
| 申请公布号 | CN105826402A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201610162615.3 | 申请日期 | 2016.03.21 |
| 申请人 | 佛山职业技术学院 | 发明人 | 班群;段春艳 |
| 分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I |
| 代理机构 | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人 | 王永文;刘文求 |
| 主权项 | 一种抗PID的氮化硅减反射膜，其特征在于，所述氮化硅减反射膜包括沉积于硅片上的内、外两层氮化硅减反射膜，其中，内层氮化硅减反射膜的折射率为1.8~2.2，外层氮化硅减反射膜的折射率为2.0~2.5。 | ||
| 地址 | 528131 广东省佛山市三水区乐平镇职教路3号 | ||