| 发明名称 | 半导体激光器阵列、半导体激光器元件、半导体激光器模块、以及波长可变激光器组件 | ||
| 摘要 | 半导体激光器阵列具备在互不相同的振荡波长下进行单一模式振荡的多个半导体激光器，各所述半导体激光器具备：包含具有交替层叠的多个阱层和势垒层的多量子阱结构的活性层；和从厚度方向夹着该活性层而形成、带隙能大于该活性层的所述势垒层的带隙能的n侧分离限制异质结构层以及p侧分离限制异质结构层，在所述活性层掺杂n型杂质。由此提供能在宽带中输出高强度的激光的半导体激光器阵列。 | ||
| 申请公布号 | CN105830292A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201480070393.1 | 申请日期 | 2014.12.26 |
| 申请人 | 古河电气工业株式会社 | 发明人 | 伊藤章;吉田顺自;清田和明 |
| 分类号 | H01S5/22(2006.01)I;H01S5/12(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李国华 |
| 主权项 | 一种半导体激光器阵列，其特征在于，具备在互不相同的振荡波长下进行单一模式振荡的多个半导体激光器，各所述半导体激光器具备：包含具有交替层叠的多个阱层和势垒层的多量子阱结构的活性层；和从厚度方向夹着该活性层而形成、带隙能大于该活性层的所述势垒层的带隙能的n侧分离限制异质结构层以及p侧分离限制异质结构层，在所述活性层掺杂有n型杂质。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||