用于光电子器件的故障保护器及相关方法

摘要

一种用于光电子器件的故障保护器，包含有整体体二极管的MOSFET。电容器被连接在该MOSFET的漏极和栅极之间，而电阻器被连接在该MOSFET的栅极和源极之间。MOSFET的漏极可与光电子器件的第一端子连接，而MOSFET的源极可与光电子器件的第二端子连接。该器件通过防止反向偏置电压超过制造商规定的绝对极大值，克服以前已知技术的问题，并且还防止ESD或其他与功率有关的故障避免超过激光二极管的最大正向偏置电压，同时不把显著的电阻或电容添加到该激光二极管，从而不使驱动该激光二极管的任务变复杂。

主权项

一种激光二极管和保护电路的组合，包括：激光二极管，具有阳极端子和阴极端子；激光二极管保护电路，包括：增强型MOSFET，具有控制在源极和漏极之间的电流的栅极，该MOSFET包含可一同工作的体二极管；被连接在该MOSFET的漏极和栅极之间的电容器装置；被连接在该MOSFET的源极和栅极之间的第一电阻器装置，被连接在该MOSFET的漏极和栅极之间的第二电阻器装置，其中该漏极可与激光二极管的阳极端子连接，以及该源极可与激光二极管的阴极端子连接，该阴极端子不同于阳极端子；并且其中该第一电阻器装置和第二电阻器装置各提供部分偏置以用于维持栅极在需要的电压处，使得在大于5个R/C时间常数的持续操作期间，降低增强该MOSFET的导通所需的电压增加；其中所述保护电路被配置为在关断该激光二极管的功率时，该保护电路在以下期间提供保护：通过使电流从源极到漏极传导通过该MOSET的正的静电放电ESD事件，以及通过使电流传导通过该MOSFET的体二极管的负的ESD事件，并且其中，当已经向激光二极管提供功率时，在发生正的ESD事件时，激光二极管通过利用一旦达到激射阈值后激光二极管的动态电阻来分担ESD保护重担。