栅电极的形成方法

摘要

本发明公开了一种栅电极的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上覆盖有栅电极材料层；在所述衬底上形成相互平行的连续的栅条；环绕所述相互平行的连续的栅条形成侧墙；在第一预定区域电隔离所述相互平行的连续的栅条，形成隔离的栅电极。根据本发明实施例，有源区硅之间的最小距离进一步减小，集成度进一步增加，相对于传统的线条-刻线（line-and-cut）的双图案化技术，本发明提供的栅电极形成方法改善了栅电极端对端（tip to tip）间距。

主权项

一种栅电极的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上覆盖有栅电极材料层；在所述衬底上形成相互平行的连续的栅条；环绕所述相互平行的连续的栅条形成侧墙；在第一预定区域切断所述相互平行的连续的栅条，形成隔离的栅电极；其中，所述切断所述相互平行的连续的栅条前，还包括：在所述侧墙的两侧形成金属侧壁；所述方法还包括：在所述第一预定区域切断所述金属侧壁；在所述第一预定区域切断栅条形成隔离的栅电极之前或者之后，在栅条两侧的衬底中形成源漏区。