存储器阵列及其操作方法

摘要

本发明公开了一种存储器阵列及其操作方法。存储器阵列包含排列成多个列与行的多个存储单元(cell)，其中多个平行记忆字符串(memory string)对应至此些行的各自的行，多个字线是排列而垂直于此些记忆字符串，各字线被连接至该存储单元的此些列的一个对应列的多个栅电极。此方法包括：执行编程操作，编程操作编程在多个边(edge)字线上的所有存储单元，边字线位于存储器阵列的对面边上，且编程操作依据待被储存在存储器阵列之中的输入数据编程存储器阵列之中的多个选择存储单元，此些选择存储单元位于这些边字线之间。各编程后存储单元的阈值电压位于编程验证电平。

主权项

一种存储器阵列的操作方法，该存储器阵列包含排列成多个列(row)与多个行(column)的多个存储单元(cell)，其中多个平行记忆字符串(memory string)对应至这些行的各自的行，多个字线(word line)是排列而垂直于该多个记忆字符串，各字线被连接至这些存储单元的这些列的一个对应列的多个栅电极，该方法包括：执行一编程(program)操作，该编程操作编程在多个边字线(edge word line)上的所有这些存储单元，这些边字线位于该存储器阵列的对面边上，且该编程操作依据待被储存在该存储器阵列之中的输入数据编程该存储器阵列之中的多个选择存储单元，这些多个选择存储单元位于这些边字线之间，各编程后存储单元的阈值电压位于一编程验证(program verify，PV)电平。