| 发明名称 | N型鳍式场效应晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种N型鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，一种N型鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构；在所述鳍部表面形成掺杂有源漏离子的第一半导体材料层；在所述第一半导体材料层上形成掺杂有势垒降低离子的第二半导体材料层；在所述第二半导体材料层上形成金属层；对所述金属层进行退火处理，形成接触电阻减小层。采用本发明的方法形成的N型鳍式场效应晶体管降低了后续形成的N型鳍式场效应晶体管的源极和漏极上的寄生电阻，提高了后续形成的N型鳍式场效应晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105826188A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201510005631.7 | 申请日期 | 2015.01.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李勇;居建华;陈林林 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴敏;骆苏华 |
| 主权项 | 一种N型鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构；在所述鳍部表面形成掺杂有源漏离子的第一半导体材料层；在所述第一半导体材料层上形成掺杂有势垒降低离子的第二半导体材料层；在所述第二半导体材料层上形成金属层；对所述金属层进行退火处理，形成接触电阻减小层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||