鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，该晶体管的形成方法包括：提供衬底，包括PMOS和NMOS区域，PMOS区域具有第一鳍部，NMOS区域具有第二鳍部；形成横跨第一鳍部的第一栅极结构、横跨第二鳍部的第二栅极结构；在第一栅极结构两侧的第一鳍部表面形成第一应力层和其上的第一覆盖层；在第二栅极结构两侧的第二鳍部表面形成第二应力层和其上的第二覆盖层；对第一覆盖层进行第一势垒降低离子注入；对第二覆盖层进行第二势垒降低离子注入；之后，在第一覆盖层上形成第一金属层；在第二覆盖层上形成第二金属层；对第一金属层进行第一退火形成第一接触层；对第二金属层进行第二退火形成第二接触层。采用本发明方法提高了鳍式场效应晶体管性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括PMOS区域和NMOS区域，PMOS区域具有第一鳍部，NMOS区域具有第二鳍部；形成横跨第一鳍部的第一栅极结构；形成横跨第二鳍部的第二栅极结构；在第一栅极结构两侧的第一鳍部表面形成第一应力层和位于第一应力层上的第一覆盖层；在第二栅极结构两侧的第二鳍部表面形成第二应力层和位于第二应力层上的第二覆盖层；对第一覆盖层进行第一势垒降低离子注入；对第二覆盖层进行第二势垒降低离子注入；在掺杂有第一势垒降低离子的第一覆盖层上形成第一金属层；在掺杂有第二势垒降低离子的第二覆盖层上形成第二金属层；对第一金属层进行第一退火处理，形成第一接触层；对第二金属层进行第二退火处理，形成第二接触层。