| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的实施例包括用于制造半导体器件和产生的结构的方法。该方法包括提供衬底。该方法包括在衬底上形成鳍片。该方法包括在鳍片和衬底上形成虚拟栅极。该方法包括蚀刻没有位于虚拟栅极下方的鳍片的部分。该方法包括在鳍片的暴露侧面上外延形成掺杂的源极和漏极区域。该方法包括在虚拟栅极的暴露侧面上形成绝缘间隔物。该方法包括形成与掺杂的源极和漏极区域邻近的一个或多个金属区域。 | ||
| 申请公布号 | CN105826361A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201610034267.1 | 申请日期 | 2016.01.19 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | E·莱奥班顿 |
| 分类号 | H01L29/08(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 牛南辉;于静 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；鳍片，形成在所述衬底上；栅极层，形成在所述鳍片和所述衬底上；一个或多个掺杂的源极和漏极区域，外延形成在所述鳍片的暴露侧面上；一个或多个绝缘间隔物，形成在所述栅极层的所述暴露侧面上；以及一个或多个金属区域，邻近于所述一个或多个掺杂的源极和漏极区域而形成。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||