Diodos PIN vertical y método para fabricarlos

摘要

Método para fabricar un diodo (30) Positivo Intrínseco Negativo (PIN) vertical, que comprende: · proporcionar una oblea epitaxial comprendiendo una capa (32) de tipo N verticalmente apilada, una capa (33) intrínseca y una capa (34) de tipo P; · formar un contacto anódico del diodo (30) Positivo Intrínseco Negativo (PIN) vertical, formando una metalización (35) anódica en una primera porción (34a) de la capa (34) de tipo P que define una región anódica; · formar una capa (36) de aislamiento eléctrica alrededor de la región (34a) anódica tal que una primera porción de la capa (33) intrínseca se extienda verticalmente entre la capa (32) de tipo N y la región (34a) anódica y unas segundas porciones de la capa (33) intrínseca se extiendan verticalmente entre la capa (32) de tipo N y la capa (36) de aislamiento eléctrica; · formar una zanja (38) en la capa (36) de aislamiento eléctrica y en las segundas porciones de la capa (33) intrínseca de manera que se exponga una porción de la capa (32) de tipo N que define una región catódica y para definir un anillo (36a) de guarda lateral sacrificial constituido por una porción de la capa (36) de aislamiento eléctrica que se extiende lateralmente entre la zanja (38) y la región (34a) anódica y lateralmente rodea dicha región (34a) anódica; y · formar un contacto anódico del diodo (30) Positivo Intrínseco Negativo (PIN) vertical formando una metalización (39) catódica en la porción expuesta de la capa (32) de tipo N que define la región catódica