发明名称 一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及其制备方法
摘要 一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及制备方法,包括从下向上依次设置的低铁压花钢玻璃、第一封装胶膜、整个电池片、第二封装胶膜和背板,所述的电池片周围设置一圈导电保护环,其中,所述整个电池片为若干电池片互相串联而成。当有太阳光时,各子串会输出直流高压,该直流高压的正极和导电保护环相连接,这样该导电保护环相对于各组件的铝边框是正电压,形成的电场由保护环指向玻璃外面,这样从根本上预防了玻璃中的金属离子向电池片表面迁移,从而从根本上解决了晶体硅光伏组件存在的PID衰减,该方法简单易行,成本低、效果好。本发明从根本上消除了晶体硅太阳电池组件的PID衰减,克服了现有方法的局限性和危险性。
申请公布号 CN105826416A 申请公布日期 2016.08.03
申请号 CN201610290234.3 申请日期 2016.05.04
申请人 西安交通大学 发明人 杨宏;王鹤
分类号 H01L31/048(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H02S30/10(2014.01)I 主分类号 H01L31/048(2014.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 安彦彦
主权项 一种抗PID的晶体硅太阳电池组件,其特征在于,包括从下向上依次设置的低铁压花钢玻璃(6)、第一封装胶膜(7)、全部电池片(2)、第二封装胶膜(8)和背板(9),所述的电池片(2)周围设置一圈导电保护环(1),其中,所述全部电池片为若干电池片互相串联而成。
地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
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