| 发明名称 | 半导体装置用接合线 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够减少异常环路的发生的接合线。所述接合线的特征在于，具备：芯材，其含有超过50mol％的金属M；中间层，其形成于所述芯材的表面，包含Ni、Pd、所述金属M和不可避免的杂质，所述Ni的浓度为15～80mol％；以及，被覆层，其形成于所述中间层上，包含Ni、Pd和不可避免的杂质，所述Pd的浓度为50～100mol％，所述金属M为Cu或Ag，所述被覆层的Ni浓度低于所述中间层的Ni浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN105830205A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201480068797.7 | 申请日期 | 2014.12.04 |
| 申请人 | 新日铁住金高新材料株式会社;日铁住金新材料股份有限公司 | 发明人 | 宇野智裕;萩原快朗;小山田哲哉;小田大造 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;C22C5/06(2006.01)I;C22C5/08(2006.01)I;C22C9/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 刘航;段承恩 |
| 主权项 | 一种半导体装置用接合线，其特征在于，具备：芯材，其含有超过50mol％的金属M；中间层，其形成于所述芯材的表面，包含Ni、Pd、所述金属M和不可避免的杂质，所述Ni的浓度为15～80mol％；和被覆层，其形成于所述中间层上，包含Ni、Pd和不可避免的杂质，所述Pd的浓度为50～100mol％，所述金属M为Cu或Ag，所述被覆层的Ni浓度低于所述中间层的Ni浓度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||