| 发明名称 | 具有空腔的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种具有空腔的半导体器件。半导体器件包括第一半导体晶片，该第一半导体晶片包括形成在第一半导体管芯中的空腔。第二半导体管芯在该空腔之上被键合到第一半导体管芯。第一晶体管包括形成在空腔之上的该第一晶体管的一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN105826383A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201511036214.5 | 申请日期 | 2015.12.16 |
| 申请人 | 长城半导体公司 | 发明人 | P·M·谢伊 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 姬利永 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，包括：提供第一半导体晶片；在所述第一半导体晶片中形成空腔；在所述空腔之上将第二半导体晶片键合到所述第一半导体晶片；以及形成晶体管，所述晶体管包括设置在所述空腔之上的所述晶体管的一部分。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那州 | ||